SiC MOSFET概覽
新潔能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET產品，具有電流密度大、擊穿電壓高、損耗低等特點。同時，該系列產品具有優良的短路能力，為應用中的突發狀況提供充足的裕量。廣泛應用于新能源汽車、太陽能逆變器、充電樁、服務器電源等領域。另外，帶有額外的開爾文引腳的TO-247-4P封裝可以繞過控制回路上的源極引線電感，降低SiC MOSFET的寄生效應并進一步降低器件的開關損耗。
新潔能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET產品，具有電流密度大、擊穿電壓高、損耗低等特點。同時，該系列產品具有優良的短路能力，為應用中的突發狀況提供充足的裕量。廣泛應用于新能源汽車、太陽能逆變器、充電樁、服務器電源等領域。另外，帶有額外的開爾文引腳的TO-247-4P封裝可以繞過控制回路上的源極引線電感，降低SiC MOSFET的寄生效應并進一步降低器件的開關損耗。