隨著移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)向數(shù)據(jù)化、分組化方向發(fā)展，移動(dòng)通信基站的發(fā)展趨勢(shì)也必然是寬帶化、大覆蓋面建設(shè)及IP化。市場(chǎng)對(duì)于基站電源的應(yīng)用需求也是逐漸提高，其中，通信功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能改善源于高壓 MOSFET 導(dǎo)通電阻的降低，為了可實(shí)現(xiàn)當(dāng)前高要求的均衡型能效目標(biāo)，市場(chǎng)也在不斷追求性能更加優(yōu)異的MOSFET。

       新潔能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Super Trench MOSFET 系列產(chǎn)品在保持合理的功耗下將高能效發(fā)揮到極致，全面提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性。在優(yōu)化供電的所有關(guān)鍵方面，通過(guò)功能性升級(jí)與工藝技術(shù)優(yōu)化來(lái)降低總體成本。

       目前，針對(duì)全橋、半橋、LLC諧振開(kāi)關(guān)等應(yīng)用，Super-Junction MOSFET推出了優(yōu)化體二極管特性的650V TF系列，使其在系統(tǒng)應(yīng)用中具有更好的EMI表現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。同時(shí)為您提供TO-263、TO-252、 TO-220. TO-220F. TO-247在內(nèi)的多款封裝外形選擇。

PFC:

SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET & SJ-IV NF MOSFET :

V_DS=650V R_{on@10V（max）}=41mΩ-140mΩ

LLC:

SJ-III TF MOSFET：V_DS=650V  R_{on@10V（max）}=41mΩ-140mΩ

同步整流：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET： 

V_DS=40V-85V   R_{on@10V（max）}＜10mΩ 封裝形式DFN、TOLL