近日，在中國半導體行業協會分立器件年會上，新潔能憑借在半導體功率器件領域的卓越表現和行業貢獻，再次成功入選 “中國半導體功率器件十強企業”！自2016年以來，這已經是新潔能第八次獲此殊榮，不僅是對企業技術實力與市場地位的認可，更是對企業持續創新、追求卓越的肯定！  

“中國半導體功率器件十強企業”評選由中國半導體行業協會發起，旨在表彰在功率半導體領域具有領先技術、市場影響力和創新能力的標桿企業。評選基于企業技術研發實力、市場占有率、產品可靠性及行業貢獻等多維度綜合評定，含金量極高。 

作為功率器件領域的核心供應商，新潔能始終專注于 “高性能、高可靠性半導體功率器件”的研發與生產，不斷突破各產品線技術瓶頸。目前已成功推出：

1、第三代SGT  MOSFET系列產品，相比于第二代產品特征導通電阻Ron.sp 降低30%，FOM值降低30%，拓寬直流電機驅動、鋰電池保護、AC/DC同步整流等廣泛應用市場。

2、第七代IGBT系列產品，擁有業界領先水平的飽和壓降和開關損耗的折中特性和超高電流密度，以1200V/160A、650V/200A超大電流單管產品為主導，不斷拓展新能源等市場應用。

3、第四代SJ MOSFT系列產品，進一步降低特征導通電阻，提升器件的功率密度，在相同體積下可以大幅提升器件電流能力。同時，器件加入了開關特性優化設計，可以為系統EMC設計提供更大的余量。此外，該系列產品優化了器件的抗靜電能力，提升了系統應用的可靠性。

4、Trench MOSFET G5系列產品，是新潔能新推出的高集成度短溝世代產品，集成度較上一代產品提高了1.5倍以上，Rsp以P30V為例降低50%以上。

5、第二代SiC MOSFET系列產品，通過創新性的結構設計與先進的，碳化硅材料工藝,實現高溫工況下導通電阻特性的大幅優化,顯著提升系統效率與可靠性，其雪崩耐量參數達到業界頂尖水平，可完美適配新能源汽車電驅、大功率充電模塊、工業變頻器等高頻、高精度場景，并通過超越AEC-O101等車規級認證的嚴苛可靠性驗證,確保產品在極端溫度、機械應力及長期負載下的穩定表現。

6、IGBT系列模塊搭載第七代IGBT芯片，實現更高功率密度和更低開關/導通損耗，低雜散電感設計，更低的熱阻，拓寬光伏、儲能、電機驅動等應用市場。

7、柵極驅動：涵蓋硅基、碳化硅、氮化鎵等功率器件驅動，電壓范圍覆蓋25V~700V，近200款驅動覆蓋Infineon/ON/TI全系列產品；

智能功率模塊（IPM）：提供業內功率密度最大的半橋模塊，實現“器件集成化、保護內置化、控制智能化”三大突破；

智能功率開關：涵蓋過流/過溫保護、雙通道、過壓保護、失地保護、狀態診斷、負載開路保護、斜率控制等，能夠實現高度集成化、主動安全防護、數字智能控制等;

高邊靜態驅動：可提供100%占空比驅動高邊NMOS，在安全性、可靠性、和設計便捷性方面，全面超越了傳統的開關方案；

音頻功放（ClassD）：提供高達300V/600V耐壓的Class D功放驅動，正快速取代傳統模擬功放。

未來，新潔能將繼續以創新為驅動，深耕功率半導體技術，為客戶提供更優質的產品與解決方案，助力中國半導體產業高質量發展！